特許

J-GLOBAL ID：200903019723744871

多層配線基板

発明者： 鍋 義博
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010444
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217545
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 高速で動作する電子部品を搭載する多層配線基板において、同時スイッチングノイズとEMIノイズを共に低減する。【解決手段】 絶縁基板2の上面に半導体素子接続用電極9および下面に外部電極8が設けられ、内部の電源もしくは接地配線層4〜7が対向配置されて形成された内蔵キャパシタを介して電源供給する多層配線基板1であって、内蔵キャパシタは、半導体素子10の動作周波数帯域から高調波成分の周波数帯域の範囲において異なる共振周波数を有する複数のものが並列接続されるように形成され、かつ異なる共振周波数間に発生する反共振周波数における合成インピーダンス値を所定値以下とするとともに、内蔵キャパシタの少なくとも1つは、絶縁基板2の表面に電源もしくは接地配線層4に対向して配置された、絶縁体コーティング層13で被覆されているキャパシタ電極12を有する多層配線基板1である。

請求項（抜粋）：

複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板の上面に半導体素子接続用電極および下面に半導体素子に電源供給するための外部電極が設けられ、内部に電源配線層と接地配線層とが前記絶縁層を挟んで対向配置されて形成された内蔵キャパシタを具備し、前記外部電極より前記内蔵キャパシタを介して前記半導体素子に電源供給する多層配線基板であって、前記内蔵キャパシタは、前記半導体素子の動作周波数帯域から高調波成分の周波数帯域の範囲において異なる共振周波数を有する複数のものが並列接続されるように形成され、かつ前記異なる共振周波数間に発生する反共振周波数における合成インピーダンス値が所定値以下であるとともに、これら複数の内蔵キャパシタの少なくとも1つは、前記絶縁基板の表面に前記絶縁層を挟んで前記電源配線層または接地配線層に対向して配置されたキャパシタ電極を有し、かつ該キャパシタ電極が絶縁体コーティング層で被覆されていることを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01G 4/38 ,  H01G 4/40

FI (3件)：

H05K 3/46 Q ,  H01G 4/38 A ,  H01G 4/40 A

Fターム (16件)：

5E082AB01 ,  5E082BB02 ,  5E082EE05 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG32 ,  5E346AA23 ,  5E346AA33 ,  5E346AA43 ,  5E346BB06 ,  5E346BB07 ,  5E346BB11 ,  5E346GG40 ,  5E346HH02 ,  5E346HH06