特許
J-GLOBAL ID：200903019725137158
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-203805
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025629
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハに対するイオンビームの入射角度を任意に変更設定でき、しかも、注入不純物濃度の低下を防止できるイオン注入装置を提供すること。【構成】 支持台30はその載置面30aに半導体ウエハwを載置して支持可能である。この支持台30は、起倒機構32の駆動により、ウエハwを水平状態より垂直状態に起立させることができる。さらに、ウエハwを垂直状態に起立させた状態で、チルト回転軸部160の周りに支持台30を回転でき、この結果ウエハwに対してイオンビームIの入射角度を変更設定できる。チルト回転軸部160は、イオンビームIのビーム幅をほぼ2分するする中心線上に存在し、ウエハw表面と平行に配置されているので、入射角度を変更してもビーム中心Lとウエハwの中心Pとは常に一致する。このため、注入不純物濃度が低下しない。
請求項（抜粋）：
支持台上に被処理体を載置支持し、前記被処理体表面に対してイオンビームが所定の傾斜角度で入射するように、前記支持台角度を変更可能なイオン注入装置において、前記被処理体表面に入射するビーム幅をほぼ2分する中心線上に位置し、かつ、前記被処理体表面と平行に配置された回転軸と、前記回転軸を中心に、所定角度範囲内の任意角度に前記支持台を回転させて前記被処理体へのビーム入射角度を変更設定する駆動源と、を有することを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4件)：
C23C 14/48
, C23C 14/50
, H01J 37/317
, H01L 21/265
H01L 21/265 V
, H01L 21/265 E
