特許

J-GLOBAL ID：200903019725844121

Fe-Co-B系合金ターゲット材、その製造方法、軟磁性膜および磁気記録媒体ならびにTMR素子

発明者： 上野 英 ,  上野 友典 ,  横山 紳一郎
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-100406
公開番号（公開出願番号）：特開2004-346423
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】 垂直磁気記録媒体やTMR素子等に用いられる軟磁性膜を成膜するためにFe-Co-B系合金ターゲット材の低透磁率を実現し、良好なスパッタリング特性を有するFe-Co-B系合金ターゲット材を提供する。【解決手段】 断面ミクロ組織においてホウ化物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が30μm以下であることを特徴とするFe-Co-B系合金ターゲット材である。また、原子比における組成式が(FeXCo100-X)100-YBY、5≦X≦95、5≦Y≦30である前記のFe-Co-B系合金ターゲット材である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

断面ミクロ組織においてホウ化物相の存在しない領域に描ける最大内接円の直径が30μm以下であることを特徴とするFe-Co-B系合金ターゲット材。

IPC (11件)：

C23C14/34 ,  B22F3/15 ,  B22F5/00 ,  C22C1/04 ,  C22C19/07 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  H01F1/14 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08

FI (11件)：

C23C14/34 A ,  B22F3/15 M ,  B22F5/00 Z ,  C22C1/04 B ,  C22C19/07 G ,  C22C33/02 B ,  C22C38/00 304 ,  C22C38/10 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 M ,  H01F1/14 Z

Fターム (20件)：

4K018AA10 ,  4K018AA25 ,  4K018BA04 ,  4K018BA16 ,  4K018BB10 ,  4K018EA16 ,  4K018FA01 ,  4K018HA10 ,  4K018KA29 ,  4K018KA43 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5E041AA05 ,  5E041CA05 ,  5E041CA10 ,  5E041HB15 ,  5E041NN01 ,  5E049CC01 ,  5E049EB01 ,  5E049GC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許公開出願第2002/0058159A1号明細書
  
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-106926   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• ホウ素/炭素/窒素/酸素/ケイ素でドープ処理したスパッタリングターゲットの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-523049   出願人：ヘラエウスインコーポレーテッド
• Co系ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-281975   出願人：日立金属株式会社
• Co系ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-117459   出願人：日立金属株式会社