特許
J-GLOBAL ID：200903019729462827
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264426
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103423
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】厚みのある被処理物をプラズマ処理するために電極間距離を大きくしたり、プラズマ処理能力を向上させるために投入電力の増加させた際においても、グロー状の均一なプラズマを得ることができ、しかも、プラズマ処理性能の高いプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】対向配置される電極1、2間に放電空間3を形成する。少なくとも一方の電極1、2の放電空間3側に誘電体4を設ける。プラズマ生成用ガスの存在下で一方の電極1と他方の電極2のそれぞれに正負が交互に繰り返すパルス波又は休止区間のない交番電圧を同時に印加すると共に各電極1、2に印加された電圧の極性を互いに正負逆で位相を重複させることによって放電空間3に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせる。この放電により生成されるプラズマ5に被処理物6を暴露させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対向配置される電極間に放電空間を形成し、少なくとも一方の電極の放電空間側に誘電体を設け、プラズマ生成用ガスの存在下で一方の電極と他方の電極のそれぞれに正負が交互に繰り返すパルス波又は休止区間のない交番電圧を同時に印加すると共に各電極に印加された電圧の極性を互いに正負逆で位相を重複させることによって放電空間に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせ、この放電により生成されるプラズマに被処理物を暴露させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H05H1/24
, C23C16/517
, H01L21/3065
H05H1/24
, C23C16/517
, H01L21/302 101E
4K030CA06
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030CA17
, 4K030FA03
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030JA11
, 4K030KA30
, 4K030LA11
, 4K030LA18
, 5F004AA01
, 5F004BA03
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BB24
, 5F004DA00
, 5F004DA21
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
