特許
J-GLOBAL ID：200903019736286767
過電圧保護半導体スイッチ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192170
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064812
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 保護手段を保護されるべき電力半導体装置と共に集積化することができる過電圧保護スイッチを提供する。【構成】 過電圧保護スイッチ(1) は、半導体本体(2) の第1領域(3) 内に形成した多数の第2領域(11)と、各第2領域(11)と第1領域(3) との間のチャネル領域(13)上に位置する絶縁ゲート(12)とによって構成される電力半導体装置(10)を含む。第1領域(13)及び第2領域(11)はスイッチ(1) の第1及び第2電極(4,5)に対する導通路を構成する。補助半導体装置(100) は第2領域(11)の数よりも小数の第2領域(11)と、各別の第2領域(11)と第1領域(3) との間の別のチャネル領域(13)上に位置する別の絶縁ゲート(120) とによって形成する。別の第2領域(11)と、電力半導体装置(10)の絶縁ゲートとを接続する別の導通路が形成されると共に、ダイオード装置(30)が補助半導体装置(10)の絶縁ゲートと第1主電極とを接続し、補助半導体装置(100) が導通して電力半導体装置をオンに切り換える。
請求項（抜粋）：
一方の主表面と隣接する一導電形の第1領域と、この第1領域内に形成されている多数の第2領域、第1及び第2の主電極、及び第1主電極と第2主電極との間の導通路を形成する前記第1領域と各第2領域との間のチャネル領域上に延在する絶縁ゲートを具える電力半導体装置と、前記第1主電極に予め定めた値を超える電圧が生じたとき、前記電力半導体装置の絶縁ゲートに信号を供給して電力半導体装置をオンさせる保護手段とを有する半導体本体を具える過電圧保護半導体スイッチにおいて、前記保護手段が、前記第1領域内に形成され前記第2領域の数よりも少数の別の第2領域、各別の第2領域と前記第1領域との間の別のチャネル領域上に延在する別の絶縁ゲート、及び前記別の第2領域を電力半導体装置の絶縁ゲートに接続する別の導通路を具える補助半導体装置と、前記第1主電極の電圧が予め定めた値を超えたとき、補助半導体装置の絶縁ゲートを前記第1の主電極に接続して補助半導体装置を導通させ、前記別の導通路を介して信号を電力半導体装置の絶縁ゲートに供給して電力半導体装置をオン状態に切り換えるダイオード手段とを具えることを特徴とする過電圧保護半導体スイッチ。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/768
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 29/78 657 G
, H01L 21/90 D
, H01L 27/04 H
