特許

J-GLOBAL ID：200903019741569041

半導体基板のアルミニウム付着防止方法

発明者： 渡邊 広也 ,  清水 英貴 ,  田中 一成 ,  下村 正
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-180384
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358112
出願日： 2000年06月15日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の洗浄において、アルミニウム不純物の基板表面への付着を長時間防止する方法を提供する。【解決手段】半導体基板をジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、もしくはその塩、またはジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)の酸化体、もしくはその塩を0.1〜5000ppm含有する塩基性過酸化水素洗浄液で洗浄する。

請求項（抜粋）：

半導体基板をジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、もしくはその塩、またはジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)の酸化体、もしくはその塩を0.1〜5000ppm含有する塩基性過酸化水素洗浄液で洗浄することを特徴とする半導体基板のアルミニウム付着防止方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/38 ,  C11D 17/08

FI (6件)：

H01L 21/304 647 A ,  B08B 3/08 A ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/38 ,  C11D 17/08

Fターム (18件)：

3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201BB05 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB96 ,  3B201CB01 ,  3B201CC21 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA23 ,  4H003EB23 ,  4H003EB24 ,  4H003ED02 ,  4H003EE04 ,  4H003FA07 ,  4H003FA21