特許
J-GLOBAL ID：200903019745446971
ナノファイバーおよびナノファイバーの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩野谷 英城
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009587
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220300
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 VLS反応を用いたCVD法ではウール状になってしまい実現が困難であった、成長方向の揃った複数のナノワイヤーから構成されるナノファイバーの作製方法を提供する。【解決手段】 自己組織化を用いたナノファイバーの作製方法であって、基板1の表面に、基板1と同じ元素から構成される微結晶粒子2を載置する工程と、真空下で、基板1の表面が融解する温度にまで基板1を加熱する工程と、を有し、基板1の表面は、結晶面であり、加熱工程では、微結晶粒子2を載置した結晶面に表面偏析を生じさせることにより、基板1から供給された元素により複数のナノワイヤー5を成長させ、茎状構造を有するナノファイバー4を形成させる。
請求項（抜粋）：
自己組織化を用いたナノファイバーの作製方法であって、基板表面に、基板と同じ元素から構成される微結晶粒子を載置する工程と、真空下で、基板の表面が融解する温度にまで前記基板を加熱する工程と、を有し、前記基板表面は、結晶面であり、前記加熱工程では、前記微結晶粒子を載置した前記結晶面に表面偏析を生じさせることにより、基板から供給された元素により複数のナノワイヤーを成長させ、茎状構造を有するナノファイバーを形成させることを特徴とする自己組織化を用いたナノファイバーの作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4G077AA04
, 4G077BA04
, 4G077CC06
, 4G077EE02
, 4G077EE06
