特許

J-GLOBAL ID：200903019752929635

化合物半導体素子及びその製造方法

発明者： 細羽 弘之 ,  中村 淳一 ,  倉橋 孝尚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315284
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163524
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 成長時における格子不整合を抑制でき、結果的に特性を向上できる化合物半導体素子を提供する。【解決手段】 MOCVD法により、n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を0.5μm、n-AlGaInPクラッド層3を1.0μm、GaInP活性層4を0.05μm、p-AlGaInPクラッド層5を1.0μm、p-GaInPキャップ層6を0.1μm及びn-GaAsブロック層7を0.5μm順次積層成長する。この成長工程は、AlGaInPクラッド層3,5、GaInP活性層4、GaInPキャップ層6が成長温度(例えば、750°C)でGaAs(GaAs基板1及びGaAsバッファ層2)に格子整合するように行う。

請求項（抜粋）：

基板上に化合物半導体層を成長させた化合物半導体素子において、該化合物半導体層の組成比が成長温度にて該基板に格子整合する組成比である化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-240237   出願人：昭和電工株式会社
• 特開昭58-199588