特許
J-GLOBAL ID：200903019754437039
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-060257
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244207
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】結晶端等の発生を防止でき、良好な特性を得られる半導体装置を実現する。【構成】ポリシリコン層3の下側に短冊状の絶縁膜2をソ-ス電極部3Sからドレイン電極部3Dの方向に形成し、ポリシリコン層3の結晶成長をこの絶縁膜2に沿って顕著に行わせしめ、ポリシリコングレイン界面をソ-ス電極部3Sからドレイン電極部3Dの方向に対して減少させる。
請求項（抜粋）：
基板上に積層した半導体薄膜にチャネル部を挟んでソ-ス電極部とドレイン電極部を有すると共に、当該チャネル部の上部にゲ-ト電極を有する半導体装置において、前記半導体薄膜のチャネル部の下側に、前記ソ-ス電極部-ドレイン電極部方向に延びる絶縁膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
