特許
J-GLOBAL ID：200903019758284652
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229886
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077498
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 1つのメモリセルに複数ビットの情報を記憶させることができ、メモリ容量の増大及び高集積化をはかり得るEEPROMを提供すること。【構成】 シリコン基板30上に浮遊ゲート34と制御ゲート36が積層形成され、浮遊ゲート34と基板30間の電荷の授受により電気的書替えが行われるメモリセルMを4個直列接続してNAND型のメモリセルユニットを形成し、このメモリセルユニットをマトリックス配置したEEPROMにおいて、メモリセルMの浮遊ゲート34をチャネル長方向に2分割し、1個のメモリセルMに2ビットの情報を記憶させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に浮遊ゲート及び制御ゲートを積層形成し、浮遊ゲートへの電荷の授受により書込み・消去を行うメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルの浮遊ゲートがチャネル長方向に分割されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
