特許
J-GLOBAL ID：200903019759947523
多結晶半導体薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033739
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252048
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 非晶質半導体薄膜の各部におけるレーザビームの重複量を等しくすることにより、該非晶質半導体薄膜全体を均一に多結晶化することができる多結晶半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板上に設けられた非晶質半導体薄膜6に、照射方向の断面形状が六角形のパルスエネルギービームl2を照射し、該パルスエネルギービームl2を前記六角形の所定の辺の配列方向に所定の面積を重複させつつ走査することを特徴とする。また、前記パルスエネルギービームの照射方向の断面形状を菱形とし、パルスエネルギービームを、前記菱形の対角線方向に所定の面積を重複させつつ走査することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた非晶質半導体薄膜にパルスエネルギービームを照射し、このパルスエネルギービームを前記非晶質半導体薄膜の面方向に走査することにより、該非晶質半導体薄膜を多結晶化する多結晶半導体薄膜の製造方法において、前記パルスエネルギービームの照射方向の断面形状を六角形とし、該パルスエネルギービームを、前記六角形の所定の辺の配列方向に所定の面積を重複させつつ走査することを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, C30B 28/12
, C30B 29/06 504
, C30B 30/00
