特許
J-GLOBAL ID:200903019760572118

コンタクター及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-173722
公開番号(公開出願番号):特開平10-019929
出願日: 1996年07月03日
公開日(公表日): 1998年01月23日
要約:
【要約】【課題】 半導体集積回路の電気特性測定用コンタクター等に用いて、オーバードライブ量が大きくとれて、繰り返しの座屈変形に十分に耐える、先端部の高さ及び平面位置の精度が良好な接触探子を有するコンタクターとそれを製造する方法を提供する。【解決手段】 針状単結晶を接触探子とするコンタクターであって、前記針状単結晶の座屈変形時の破壊強度が3.5〜21GPaであることを特徴とするコンタクターである。また、針状単結晶体の表面に導電膜を施し接触探子とするコンタクターの製造方法であって、前記導電膜を施す前処理として、界面活性剤を含有するフッ化アンモニウムとフッ酸との混合水溶液、その後硝酸とフッ酸との混合水溶液で処理することを特徴とするコンタクターの製造方法である。
請求項(抜粋):
針状単結晶を接触探子とするコンタクターであって、前記針状単結晶の座屈変形時の破壊強度が3.5〜21GPaであることを特徴とするコンタクター。
IPC (3件):
G01R 1/067 ,  G01N 37/00 ,  H01R 4/58
FI (4件):
G01R 1/067 A ,  G01N 37/00 C ,  G01N 37/00 G ,  H01R 4/58 A
引用特許:
審査官引用 (1件)

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