特許

J-GLOBAL ID：200903019762431783

半導体装置及びその製造方法

発明者： 原田 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325446
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177165
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ(FET)及びその製造方法に関し、InGaAs系HEMT等Inを半導体材料に含み、ゲート・ドレイン間のリーク電流が低減された半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上に形成され、組成にInを含む半導体層23と、Inを含む半導体層23上に形成されたゲート電極21と、ゲート電極21の側部に形成され、組成に酸素を含むサイドウォール22とを有する半導体装置において、サイドウォール22とInを含む半導体層23の間に、Inを含まない半導体層25が挿入されているように構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、組成にInを含む半導体層と、前記Inを含む半導体層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側部に形成され、組成に酸素を含むサイドウォールとを有する半導体装置において、前記サイドウォールと前記Inを含む半導体層の間に、Inを含まない半導体層が挿入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H