特許

J-GLOBAL ID：200903019762829507

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 倉又 朗人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049729
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250802
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 GaN 系のレーザにおいて, 共振器端面を容易に劈開する。【構成】 1)Siウェーハ上にサファイア(Al2O3) 層が形成された基板上に,GaN 系材料でレーザの層構造が形成され,シリコンの劈開面とGaN 系材料の劈開面が平行であり,GaN 系材料の劈開面により共振器が形成されている半導体レーザ,2)Si単結晶ウェーハ上にサファイア(Al2O3) ウェーハを接着し,サファイアウェーハを薄膜化してその上にGaN 系材料でレーザの層構造を形成し,劈開により共振器の端面を形成するに際し, Siの劈開面とGaN 系材料の劈開面が平行になるように, Siウェーハ面の面方位, Al2O3 ウェーハ面の面方位及び前記接着時の両ウェーハの結晶方位関係が決められている半導体レーザの製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)ウェーハ上にサファイア(Al2O3) 層が形成された基板上に,窒化ガリウム系(GaN) 材料でレーザの層構造が形成され,シリコンの劈開面と窒化ガリウム系材料の劈開面が平行であり,窒化ガリウム系材料の劈開面により共振器が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。