特許
J-GLOBAL ID：200903019767788000
縦形接合形電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165007
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341025
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】チャネルのキャリア移動度の大きくオン抵抗の小さいSiC を用いた新規構造の縦形接合形電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】n+ 形4H-SiCから成る(0001)面を主面とする基板8の上に、順次、n形SiC から成るドレイン層9、p形SiC から成るゲート層10が形成されている。ゲート層10の一部には電流が狭窄される方向(x軸方向)の厚さが1μmでゲート層10を完全に貫通する溝30が形成され、その溝30を完全に充填し、溝30の付近のゲート層10の表面に、全体としてT字形状に、n形SiC 単結晶から成るチャネル層12が形成されている。又、チャネル層12の表面部分にn形SiC 単結晶から成るソース層13が形成され、ゲート層10の表面上にp形SiC 単結晶から成るコンタクト層11が形成されている。各層はエピタキシャル成長により形成されている。
請求項（抜粋）：
第1伝導形炭化ケイ素(SiC) から成るチャネルが第2伝導形炭化ケイ素から成る層の中において基板面と交差する方向に形成された縦形接合形電界効果トランジスタにおいて、第1伝導形の炭化ケイ素から成る基板と、この基板上にエピタキシャル成長により形成された第1伝導形の炭化ケイ素から成るドレイン層と、前記ドレイン層上にエピタキシャル成長により形成された第2伝導形の炭化ケイ素から成るゲート層と、前記ゲート層の一部に開けられた溝を介して前記ドレイン層に接合すると共に前記溝及びこの溝の付近の前記ゲート層の上面にエピタキシャル成長により形成された第1伝導形の炭化ケイ素から成るチャネル層と、前記チャネル層の表面に形成された第1伝導形の炭化ケイ素から成るソース層とを有することを特徴とする縦形接合形電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/80 V
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 B
