特許
J-GLOBAL ID：200903019772706080
半導体集積回路の配線構造体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107139
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318595
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】Cu配線を用いた場合に、絶縁膜や基板への配線材料のCuの拡散を防止すると共に配線全体の電気抵抗が上昇することを抑制する半導体集積回路の配線構造体の製造方法を提供する。【構成】Si基板10の表面に4000Åの絶縁膜12を形成する。この絶縁膜12の全表面に、膜厚200ÅのW膜14を形成する。さらにこのW膜14の表面に、イオンエネルギー10keV、ドーズ量2×1017atom/cm2 の窒素イオンを注入し、このW膜14の表面に約100Åの窒化タングステン膜16を形成する。この窒化タングステン膜16の表面にCu膜18を5000Å形成した。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の配線構造体の製造方法において、絶縁膜の上に金属バリア膜を形成し、該金属バリア膜の表面に、B、N、及びCから選ばれた1種をイオン注入し、イオン注入された前記金属バリア膜の上に配線を形成することを特徴とする半導体集積回路の配線構造体の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 M
