メモリ・セル、その製造方法および方向性誘電体材料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130642
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061505
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】低い電圧で動作可能であり、外乱に対して高い抵抗性を有し、容易にスケーリング可能な構造を有する、フラッシュEEPROMを提供することである。【構成】複数のMOSセルを含むフラッシュEEPROMを製造する。各セルでは、プログラミングおよび消去が、それぞれ書込みゲート22から浮動ゲート14に向かうトンネル効果および浮動ゲート14から消去ゲート10に向かうトンネル効果によって行われる。使用する方向性誘電体16、24は多層構造(MLS)酸化物であり、薄い酸化物と薄いポリシリコンが交互の層を形成する。層構造は非対称である。すなわち、最上部または最下部の層のどちらかがその他の層よりも厚い。この構造の結果、酸化物は方向性を示す。すなわち、一方の方向の方が逆の方向よりもトンネル効果が容易になる。さらに酸化物はトンネル効果を著しく強化する(4.7Vという低い電圧でトンネル効果が認められる)。

請求項（抜粋）：

上部表面を有する第1の導電型の基板と、それぞれ上記基板内に形成されかつ上記基板の上記上部表面から部分的に下方に延びる、第2の導電型の領域から成るソースおよびドレインと、上記基板上に付着された第1の絶縁層と、4つの側面、上部表面、および上記第1の絶縁層と接触する下部表面を有し、上記第1の絶縁層に隣接する浮動ゲートと、上記浮動ゲートの上記4つの側面および上記上部表面に隣接する薄い熱酸化物と、上記浮動ゲートの上記側面の1つに隣接して形成されたポリシリコン・スペーサと、上記基板の一部分および上記浮動ゲートの一部分に隣接し、かつ第1の方向性誘電体材料の層で上記基板の上記第1の部分および上記浮動ゲートの上記第1の部分から絶縁された、上記浮動ゲート電極から電荷を取り除くための第1の電荷移動手段と、上記浮動ゲートに隣接し、第2の絶縁層で上記浮動ゲートから絶縁された制御ゲートと、上記第2の絶縁層、上記制御ゲート、上記浮動ゲートおよび上記基板の第2の表面部分に隣接し、第3の絶縁層で上記第2の絶縁層および上記制御ゲートから絶縁され、かつ第2の方向性誘電体材料の層で上記第3の絶縁層、上記浮動ゲートおよび上記基板の上記第2の表面部分から絶縁された、上記浮動ゲートに電荷を注入するための第2の電荷移動手段とを備えるメモリ・セル。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-088368
特開昭63-126278
特開昭58-119673

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