特許

J-GLOBAL ID：200903019774590151

半導体製造装置用排ガス処理装置

発明者： 新田 昭彦 ,  杉森 由章
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176842
公開番号（公開出願番号）：特開2001-000838
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造装置から排出される排ガス中に含まれるフッ化物の処理を効率よく行うことができる半導体製造装置用排ガス処理装置を提供する。【解決手段】 半導体製造装置1から排出される排ガスを排ガス処理装置3に送込む真空ポンプ5の前段に、真空ポンプ5内に付着して真空ポンプ5を閉塞させる物質を除去するための除去処理装置11を設け、真空ポンプに導入される保護用ガス経路6からのポンプ保護用ガスの導入量を少なくする。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置から排出される排ガスの経路に、排ガス中の有害成分を処理する排ガス処理装置と、排ガス中のフッ化物を処理するフッ化物処理装置とを接続し、前記排ガスの経路に、半導体製造装置から排ガスを吸引して前記排ガス処理装置及びフッ化物処理装置に送込む真空ポンプを設けるとともに、該真空ポンプに閉塞防止用のポンプ保護用ガスを導入する経路を設けた半導体製造装置用排ガス処理装置において、前記真空ポンプの前段に、真空ポンプ内に付着して真空ポンプを閉塞させる物質を除去するための除去処理装置を設けたことを特徴とする半導体製造装置用排ガス処理装置。

IPC (2件)：

B01D 53/68 ,  B01D 53/34 ZAB

FI (2件)：

B01D 53/34 134 C ,  B01D 53/34 ZAB

Fターム (14件)：

4D002AA22 ,  4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA02 ,  4D002BA04 ,  4D002BA14 ,  4D002CA07 ,  4D002CA20 ,  4D002DA17 ,  4D002DA41 ,  4D002EA01 ,  4D002EA13 ,  4D002HA05 ,  4D002HA06