特許

J-GLOBAL ID：200903019774856461

熱酸化膜の形成方法

発明者： 浅利 伸 ,  高橋 誠一 ,  三橋 哲雄 ,  太田 賀文 ,  中村 久三
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-054125
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月28日
要約：

【要約】【目的】 酸化処理工程以外の工程を微量酸素雰囲気の減圧状態とし、被処理基板の表面に極薄酸化膜を成長させ、この極薄酸化膜で被処理基板表面に高品質で安定した熱酸化膜を形成する。【構成】 被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続して設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工程以外の工程を微量酸素を導入した減圧雰囲気に保った工程とした熱酸化膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続して設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工程以外の工程中に微量酸素を導入した減圧雰囲気に保つ工程が含まれていることを特徴とする熱酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 8/12 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316