特許

J-GLOBAL ID：200903019776295408

半導体基板の前処理方法及び赤外線検出器の製造方法

発明者： 宮武 哲也 ,  有永 健児 ,  須藤 元 ,  藤原 康治 ,  梶原 信之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169113
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357814
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 Hgを含有する化合物半導体層中の不純物を低減し、検出効率が高い赤外線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】 p型HgCdTe層21に対しプラズマエッチング処理を施し、p型HgCdTe層21の表層部を約2μmの厚さだけエッチングする。このとき、エッチングガスとしては、水素、アルゴン及び窒素の混合ガスを使用する。HgCdTe層21の全域にわたって存在するLi及びNa等の不純物、並びにHgCdTe層21の表面付近に存在するAg等の不純物は、プラズマエッチング時にHgCdTe層21の極めて表面に近い領域に引き寄せられ、エッチングに伴って除去される。

請求項（抜粋）：

デバイス形成前の半導体層に対しプラズマエッチング処理を施し、前記半導体層中に存在する不純物を前記半導体層の表面近傍に集め、前記半導体層の表層部とともにエッチング除去することを特徴とする半導体基板の前処理方法。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 31/0264

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 E ,  H01L 31/08 N

Fターム (30件)：

5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004BA14 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004EB01 ,  5F004FA01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049NA01 ,  5F049NA20 ,  5F049PA02 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049RA02 ,  5F049SS02 ,  5F049WA01 ,  5F088AA02 ,  5F088AB09 ,  5F088BA01 ,  5F088BA13 ,  5F088CB02 ,  5F088CB04 ,  5F088CB14 ,  5F088EA02 ,  5F088GA03 ,  5F088LA01