特許

J-GLOBAL ID：200903019781719240

ダイシングフィルム、フリップチップ実装方法、及び半導体装置

発明者： 田中 徹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-187584
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026311
出願日： 2003年06月30日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】半導体チップを信頼性高くフリップチップ実装する。【解決手段】粘着層5を介して裏面に接着されたチップ裏面保護層4を有する半導体チップ1aを、表面上に形成されたはんだバンプ9を介して回路基板11上にマウントする(図3(a))。そして、加熱処理により、はんだバンプ9を溶融させて半導体チップ1aと回路基板11とを接合すると共に、粘着層5を軟化させることにより、粘着層5により半導体チップ1aの側面を覆う(図3(b))。これにより、チップコート樹脂を用いて半導体チップ1aの側面及び裏面をコーティングする必要がなくなり、半導体チップ1aを信頼性高くフリップチップ実装することができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハから半導体チップを分割切断する際に当該半導体ウェーハを支持固定するためのダイシングフィルムであって、 フィルム基材と、 上記フィルム基材の片側表面上に形成されたチップ裏面保護層と、 上記チップ裏面保護層の表面上に形成され、上記半導体ウェーハの裏面に貼り付けられる粘着層とを備え、 上記チップ裏面保護層及び上記粘着層は、分割切断後、半導体チップの裏面に残され、上記チップ裏面保護層及び上記粘着層の少なくとも一方は、半導体チップをフリップチップ実装する際の加熱処理によって軟化し、半導体チップの側面を覆うこと を特徴とするダイシングフィルム。

IPC (2件)：

H01L21/60 ,  H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/60 311Q ,  H01L21/78 M

Fターム (4件)：

5F044KK01 ,  5F044LL01 ,  5F044RR17 ,  5F044RR19