特許
J-GLOBAL ID：200903019784199442
バイアス電流回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195464
公開番号（公開出願番号）：特開2001-022458
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】消費電流が小さく、電源にノイズが重畳した場合でも、負荷電流の変動が小さいバイアス電流回路を提供すること。【解決手段】電源Eの高電位側Vccに、PMOS19のソースを接続し、PMOS19のドレインを出力トランジスタであるPMOS18のソースに接続し、PMOS18のドレインは誤差増幅器やコンパレータ回路である負荷60と接続し、PMOS19のドレインと温度補償回路50の高電位側と接続し、PMOS18のゲートとコンデンサ17の一端および温度補償回路50を構成するPMOS11のドレインとそれぞれ接続し、コンデンサ17の他端をグランド101に接続する。このバイアス電流回路を停止させた時に、Iref20とIref30を零にすることで、バイアス電流回路の消費電流の低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
電源と、出力トランジスタと、該出力トランジスタを制御する温度補償回路と、を有し、前記出力トランジスタおよび前記温度補償回路が前記電源に並列に接続され、前記温度補償回路の出力端子と前記出力トランジスタのゲートが接続されるバイアス電流回路において、前記電源の高電位側と前記出力トランジスタおよび前記温度補償回路との間に、前記出力トランジスタおよび前記温度補償回路と直列に接続されるスイッチング手段を備えたことを特徴とするバイアス電流回路。
Fターム (6件)：
5H420LL07
, 5H420NA31
, 5H420NB25
, 5H420NC02
, 5H420NE23
, 5H420NE26
