特許

J-GLOBAL ID：200903019787649716

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代 ,  伊藤 潤 ,  浅見 慎也 ,  渡邉 大志
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286445
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【目的】 経時的に輝度の変化が少なく、且つ輝度の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 サファイア基板のIII族窒化物系化合物半導体層を積層する面と反対の面上に窒化金属からなる反射層を設ける。

請求項（抜粋）：

基板の半導体層が形成される面と反対の面上に金属窒化物からなる反射層が形成されてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

Fターム (6件)：

5F041AA09 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15