特許

J-GLOBAL ID：200903019789545195

MISキャパシタおよびその製造方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323910
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162614
出願日： 1994年12月01日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、電極/誘電体/SiのMISキャパシターにおいてC-V特性にヒステリシスがみられず良好なMIS特性を示すSiデバイス用のMISキャパシターおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 本発明のMISキャパシタは、Si単結晶半導体基板、およびこの半導体基板上に形成され、組成Zr1-x Rx O2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、x=0〜0.75である)の酸化物を主成分とするエピタキシャル膜である第1酸化物薄膜、およびこの第1酸化物薄膜上に形成されたCe、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、HoおよびErのうちから選択された少なくとも一種の希土類金属の酸化物を主成分とするエピタキシャル膜である第2酸化物薄膜を備えていることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

Si単結晶半導体基板と、この半導体基板上に形成され、組成Zr1-x Rx O2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、0≦x<1である)である酸化物を主成分とするエピタキシャル膜であり、少なくとも前記半導体基板に隣接する基板隣接層部分において、前記組成式のxが0〜0.75である第1酸化物薄膜と、この第1酸化物薄膜上に形成されたCe、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、HoおよびErのうちから選択された少なくとも一種の希土類金属の酸化物を主成分とするエピタキシャル膜である第2酸化物薄膜とを備えていることを特徴とするMISキャパシタ。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 25/00 ,  C30B 25/16 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/62 G