特許
J-GLOBAL ID：200903019790813799
端面発光型LEDの製造方法および端面発光型LEDの検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008598
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204233
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 チップに切り出す前のウェハ状態で、端面発光型LEDの発光検査を行うことができるようにした、端面発光型LEDの製造方法と端面発光型LEDの検査方法を提供する。【構成】 PN接合を有する発光素子部を備えた端面発光型LEDの製造方法である。第1導電型の半導体下地11に第2導電型の不純物領域13aを形成する工程と、不純物領域13aをその中間部でエッチングする工程と、半導体下地11上に絶縁膜19aを形成する工程と、絶縁膜19a上に不純物領域13、13に接続する電極部15を形成する工程と、半導体下地11に接続する電極17を形成する工程と、不純物領域13、13のうち一方を発光部、他方を受光部として機能させ、発光部の発光特性を受光部で測定する工程と、この検査工程の後、半導体下地11を不純物領域13、13の中間部にて切断する工程とを備えてなる。
請求項（抜粋）：
PN接合を有する発光素子部を備えた端面発光型LEDの製造方法であって、第1導電型の半導体下地を用意するとともに、この半導体下地の表面の所定位置に第2導電型の不純物を導入して不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域が間隔をおいて二分されるように該不純物領域の中間部をエッチングする工程と、前記半導体下地上に、前記不純物領域が露出した状態となるように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記二分された不純物領域に接続する電極部をそれぞれに独立して形成する工程と、前記半導体下地の裏面に該半導体下地に接続する電極を形成する工程と、前記二分された不純物領域のうちの一方の側が発光部、他方の側が受光部として機能するように前記電極間に電圧を印加し、発光部における発光特性を受光部において測定して発光部の発光特性を検査する工程と、この検査工程の後、前記半導体下地を前記不純物領域の中間部にて切断する工程とを備えてなることを特徴とする端面発光型LEDの製造方法。
IPC (2件)：
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