特許
J-GLOBAL ID：200903019791176075
パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257321
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085611
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 パワーモジュール内の基板上の回路パターン導体層の抵抗値を、その膜厚を増加させることや導体材料を盛ることなく削減する。【解決手段】 回路パターン導体層3aまたは3bのうち電気的に接続されている部分をさらに接続するようにAlワイヤ配線7,8a,8bを形成する。このAlワイヤ配線7,8a,8bは、回路形成用として用いられるAlワイヤ配線5a〜5qとは異なり、抵抗低減用として機能する。これにより、回路パターン導体層3a,3bの抵抗値を、その膜厚を増加させることなく削減することができる。
請求項（抜粋）：
パワー素子が実装される回路パターン導体層を少なくとも一方の主面に有する絶縁基板と、前記回路パターン導体層のうち電気的に接続されている部分をさらに接続するワイヤ配線とを備えるパワーモジュール。
IPC (2件)：
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