パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385463
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189304
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】有機化合物からなり大きい膜厚を有する反射防止膜に対してレジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行なっても、レジストパターンの形状劣化を低減できるようにする。【解決手段】半導体基板10の上に有機化合物からなる反射防止膜11を形成した後、該反射防止膜に対してプラズマ処理を行なって、反射防止膜11を脆弱化させる。次に、脆弱化した反射防止膜11の上にレジスト膜13を形成した後、該レジスト膜13に対してパターン露光及び現像を行なってレジストパターンを形成する。反射防止膜11に対してレジストパターンをマスクにドライエッチングを行なって、反射防止膜をパターン化する。

請求項（抜粋）：

基板上に有機化合物からなる反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜に対してプラズマ処理を行なって、前記反射防止膜を脆弱化させる工程と、脆弱化した前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像を行なって、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程と、前記反射防止膜に対して前記レジストパターンをマスクにドライエッチングを行なって、前記反射防止膜をパターン化する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (3件)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 J

Fターム (14件)：

2H096AA25 , 2H096CA01 , 2H096CA05 , 2H096DA10 , 2H096HA23 , 2H096HA24 , 5F004AA16 , 5F004DA16 , 5F004DB00 , 5F004DB23 , 5F004EA22 , 5F004FA08 , 5F046PA07 , 5F046PA19

引用特許：

審査官引用 (1件)

レジストパターン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにレジストパターン形成装置及びホットプレート
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-031160 出願人：三菱電機株式会社

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