特許
J-GLOBAL ID：200903019793074857
水分子の導電率の増殖的増加方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-285591
公開番号（公開出願番号）：特開2003-088873
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年03月25日
要約：
【要約】【課題】 水分子の導電率を増殖的に増加させることができる水分子の導電率の増殖的増加方法およびその装置を提供する。【解決手段】 洗浄したビーカー1に250ccの純水2を満たし、ガラス電極式水素イオン濃度指示計(電気抵抗率および温度計測器)3のプローブ4を挿入したまま、垂直に立てた直径15cmのヘルムホルツコイル5内に設置し、電源6に接続された関数発生器7で設定した波形の電流をヘルムホルツコイル5に通電して極小パルス磁界を印加した。その後、ビーカー1をヘルムホルツコイル5から取り出し、電気抵抗率の時間変化を測定した。その結果、パルス磁界を印加した場合は、パルスの高さが約1ミリガウス、3ヘルツのような微小で超低周波の磁界であっても、数時間を経て10%程度の電気抵抗率の減少が現れ、1日経つと20%以上の減少が観測された。
請求項（抜粋）：
水分子に磁界発生装置によって時間的に変化する極小パルス磁界を印加することにより、前記水分子の導電率を増殖的に増加させることを特徴とする水分子の導電率の増殖的増加方法。
IPC (4件)：
C02F 1/48
, A01G 7/04
, A01K 63/04
, B01J 19/08
C02F 1/48 A
, A01G 7/04 Z
, A01K 63/04 Z
, B01J 19/08 D
2B104EF09
, 4D061DA03
, 4D061DA10
, 4D061DB06
, 4D061EA19
, 4D061EC05
, 4D061EC11
, 4D061EC19
, 4D061FA01
, 4D061FA20
, 4G075AA13
, 4G075BA05
, 4G075CA43
, 4G075DA18
