半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304624
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145112
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体素子の電極とコンデンサとの距離を短くし、直流バイアスが必要な半導体素子のバイアス電源の高周波でのインピーダンスが低減されるように実装された半導体装置を提供することを目的とする。【構成】金属ブロック12上に、コンデンサ14a、14b及びチップキャリア22が重なって搭載されている。チップキャリア22下面の電極26a、26bはコンデンサ14a、14bの上面電極18a、18bにそれぞれ重ねて接着されていると共に、絶縁層14を貫通する貫通電極30a、30bを介してその上面の電極28a、28bに接続されている。チップキャリア22上面の電極28a、28b、28cには、ツイン型PINフォトダイオードのごとき半導体受光素子チップ34がフリップチップボンディングされている。

請求項（抜粋）：

接地された金属ブロックと、前記金属ブロック上に設置され、誘電体層を挟んで互いに平行な上面電極及び下面電極が形成されているコンデンサと、前記コンデンサ上に設置され、絶縁層の上面及び下面にそれぞれ第1及び第2の電極が形成され、前記第1及び第2の電極が前記絶縁層を貫通する電気経路によって接続されているチップキャリアと、前記チップキャリアの前記第1の電極にフリップチップボンディングされている半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/12 , H01L 23/12 , H01P 1/00 , H01P 3/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-291038
特開平1-305543
特開平3-259542

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