特許

J-GLOBAL ID：200903019800724412

半導体レーザ装置

発明者： 有本 智 ,  西村 隆司 ,  元田 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079056
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243676
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置の閾値電流密度を低減させる。【構成】 第1導電型の基板101上に第1導電型のクラッド層102,活性層103および第2導電型のクラッド層105を有し、第2導電型のクラッド層105と活性層103との間に多重量子障壁104を設け、かつ活性層103が歪の加わった層を備えた構成とした。【効果】 閾値電流が大幅に低減され、高温動作可能な高出力半導体レーザが得られる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板上に第1導電型のクラッド層,活性層および第2導電型のクラッド層を有する半導体レーザ装置において、上記クラッド層の少なくともいずれか一方と上記活性層との間に設けられた超格子半導体層膜からなる多重量子障壁を備え、かつ、上記活性層は、その格子定数が上記第1導電型基板の格子定数と0.1%以上異なる結晶組成を有し歪が加わった層を備えたものであることを特徴とする半導体レーザ装置。