特許

J-GLOBAL ID：200903019804357317

半導体装置

発明者： 新 井 孝 幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089793
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284465
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 外部接続するボンディングワイヤを削減するよにしたものである。【解決手段】 本発明は半導体基板32に複数の入力部20da、20db、出力部20sa、20sb、ゲート部20ga、20gbおよびグランド部31または32を備えた半導体装置30において、半導体基板32にp層33を形成し、このp層33をグランド部31または32に接続したものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数の入力部、出力部、ゲート部およびグランド部を備えた半導体装置において、半導体基板にp層を形成し、このp層をグランド部に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/60 301 Z ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 21/88 T

Fターム (18件)：

5F033HH01 ,  5F033HH08 ,  5F033MM30 ,  5F033VV05 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX27 ,  5F044EE02 ,  5F044EE20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BE04 ,  5F048BF02 ,  5F048BF17 ,  5F048BG12