特許
J-GLOBAL ID：200903019805160258
半導体加工処理用二重ドーム反応器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-043061
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058020
出願日： 1991年03月08日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 大気圧及び低圧における大型ウェーハに関する高い生産量、柔軟な熱制御、及び処理の均一性を提供する半導体加工処理用の改良された熱反応器。【構成】 ウェーハ99上のエピタキシアル蒸着用の熱反応器100は、二重ドーム容器104と二重熱源164,166より構成されている。各熱源は、赤外線電球の内部と外部の円形配列170,174より構成されている。円周方向の加熱均一性は、容器の円筒状の対称と熱源とにより確保される。半径方向の加熱均一性は、頭部と底部の熱源の内部と外部の加熱配列を独立して制御することにより形成される。ウェーハと感熱体114との相対温度は、裏側の転移が行われるように、上部と下部の熱源により生成された相対エネルギーを調節することによって、制御される。減圧動作は、凸面の頭部と底部のドーム116,118により行われる。伝達されたエネルギー分布に対して行われた制御により、上昇した温度が一層敏速に得られまた冷却が同様に容易になるように、感熱体は、低熱容量である。
請求項（抜粋）：
反応室を形成する反応容器であって、前記反応容器が第1ドームと第2ドームとから成り、前記第2ドームが前記第1ドームと対向し、前記第1と第2のドームが円筒対称軸を共有するように前記第1と第2のドームが機械的に接合している前記反応容器と、第1面と第2面とを有するウェーハを保持するウェーハ保持手段であって、前記2つの面が前記軸に垂直なように前記ウェーハを保持する前記ウェーハ保持手段と、前記ウェーハを加熱する加熱手段と、ガスを導入しまた前記室からガスを排気するガス処理手段とより構成されている半導体加工処理用の反応器。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 21/26
, H01L 21/324
