特許
J-GLOBAL ID:200903019806431379

半導体装置とその製造方法及びその搭載構造と搭載方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田澤 博昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-005142
公開番号(公開出願番号):特開平7-211847
出願日: 1994年01月21日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子の寸法にできるだけ近い寸法で半導体装置を最大限密に回路基板上に配置できる半導体装置とその製造方法及びその搭載構造と搭載方法を提供する。【構成】 半導体素子8と、半導体素子8に電気的に接続された複数の金属細条51,51と、半導体素子8、金属細条51及びこれらの接続部を封止する絶縁性樹脂の封止部1とを備え、金属細条51の一端部が前記封止部1の一主面2上に露出し、該露出部を外部電極としたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
電子回路が形成された半導体素子と、該半導体素子に電気的に接続され、一端部が外部電極となる複数の金属細条と、前記一端部が一主面上に露出するように、前記半導体素子、複数の金属細条及び該半導体素子と金属細条との接続部を封止し、かつ、絶縁性を有する樹脂からなる封止部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28

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