化学的機械的研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318907
公開番号（公開出願番号）：特開平10-193257
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体基板の化学的機械的研磨の研磨スラリは、供給管を介した配送時にはすでに混合され、凝固し、供給管を封栓し易い。さらに、そのシステムは同じ混合剤のために多数の不要な供給ラインを要する。これらの欠点を解消した研磨機を提供する。【解決手段】研磨機が、チェックバルブ164,166を介して容器から研磨剤構成要素を配送し、それら構成要素はマニホールド168部分を介して配送され、混合要素によって溝内にて混合される。その混合研磨剤は、部分的分割フレキシブル供給管170によって研磨ローラ132に分配される。チェックバルブと、分配ポイントのできるだけ近くで構成要素を混合する事によって、配送ライン中で研磨剤が凝固するのを防ぎ、パーティクルの生成によるライン封栓を防ぐ。混合された研磨剤に晒されるのは研磨システムの一部分の管だけで、管の製造コストは低いので、凝固が生成し易くとも、低コストで交換可能である。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス基板(134)上に形成される層(136)を研磨する方法であって:研磨機(100)の中に前記層を有する半導体デバイス基板を配置する段階であって、第1チェックバルブ(164)を介して第1溶剤(111)を流す段階と、第2チェックバルブ(166)を介して第2溶剤(112)を流す段階と、第1、第2溶剤を第1、第2チェックバルブから混合部(12)の中へ流して、研磨溶剤を形成する流す段階と、からなる半導体デバイス基板配置段階;混合部から前記層を有する半導体デバイス基板に研磨溶剤を流す段階;および前記層を研磨する段階;から構成されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 321 , H01L 21/306

FI (3件)：

B24B 37/00 Z , H01L 21/304 321 M , H01L 21/306 M

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