特許
J-GLOBAL ID:200903019815293469

ドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-356781
公開番号(公開出願番号):特開平5-182937
出願日: 1991年12月26日
公開日(公表日): 1993年07月23日
要約:
【要約】【目的】 Al系材料層のエッチングにおいて、オーバーエッチング時の異方性形状の劣化を防止する。【構成】 バリヤメタル4,Al-1%Si層5,反射防止膜6からなるAl系多層膜7(いずれも図中では添字aを付加。)を、通常の塩素系ガスを用いてジャストエッチングした後、CHF3 /CO(一酸化炭素)混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、ウェハの全面を有機ポリマー層9で被覆する。この有機ポリマー層9は、分子中に>C=O基を含み化学的,物理的安定性、重合度等が向上しているため、ラジカル攻撃に対して優れた耐性を示す。残渣7bを除去するためのオーバーエッチングを行っても、有機ポリマー層9の側壁保護効果によりAl系配線パターン7aの異方性形状が維持される。アフターコロージョン対策としても有効である。
請求項(抜粋):
被エッチング基板上のアルミニウム系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングする工程と、フルオロカーボン系化合物と一酸化炭素とを含む混合ガスを用いてプラズマ処理を行うことにより被エッチング基板の全面を有機ポリマー層で被覆する工程と、オーバーエッチングを行う工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

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