特許

J-GLOBAL ID：200903019815967796

誘電体素子

発明者： 鈴木 孝明 ,  生田目 俊秀 ,  藤原 徹男 ,  村田 康彦 ,  東山 和寿
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158262
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349246
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】強誘電体素子において<SB><HAN>、</SB></HAN>上部電極を金属、導電性酸化物および金属からなる積層構造に形成することにより、水素による強誘電体層の特性劣化および上部電極のコンタクト不良を防止する。【解決手段】半導体基板10上に形成した下部電極13と、該下部電極上に形成した強誘電体層14と、該強誘電体層上に形成した上部電極からなる強誘電体素子において、前記上部電極は、前記強誘電体層上に形成した上部電極層15、該上部電極層上に形成したペロブスカイト構造の水素拡散防止用導電性酸化物層16および該導電性酸化物層上に形成した金属層17からなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した下部電極と、該下部電極上に形成した誘電体層と、該誘電体層上に形成した上部電極からなる誘電体素子において、前記上部電極は、前記誘電体層上に形成した上部電極層、該上部電極層上に形成したペロブスカイト構造の水素拡散防止用導電性酸化物層および該導電性酸化物層上に形成した金属層からなることを特徴とする誘電体素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (19件)：

5F001AA17 ,  5F001AD33 ,  5F001AG30 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD54 ,  5F083FR02 ,  5F083GA02 ,  5F083GA13 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33