特許
J-GLOBAL ID：200903019817996530
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029414
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254708
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 界面準位密度の少ないGaAsのMIS型素子の製造方法を提供する。【構成】 低温のUVオゾン処理によりGaAs基板表面にGaAs酸化膜を形成した後、アンモニアガス雰囲気中で高温、短時間アニールしてGaAs酸化膜を窒化してMIS型素子を製造する。【効果】 GaAs表面をまずイオン等によるダメージのない低温UVオゾン処理によりGaAs基板表面にGaAs酸化膜を形成する。その後NH3ガス雰囲気中で高温、短時間アニールすることによりGaAs酸化膜を窒化させGaN膜を効率良く変換形成する。これにより形成したGaN層はエネルギーギャップが大きく絶縁膜としての役目を果たし、かつ、GaN/GaAs界面はGaAs内部に形成されるため、界面準位密度がたいへん少ないMIS構造が得られる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板の一主面に紫外線を照射しながらオゾン(O3)ガス雰囲気中に曝してGaAs表面を酸化してGaAs酸化層を形成する工程と、前記GaAs酸化層をアンモニアガス雰囲気中で高温、短時間アニールすることにより窒化層に変換形成する工程と、該窒化層上に金属電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/203
, H01L 21/318
, H01L 21/324
