特許
J-GLOBAL ID：200903019819466864
光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244552
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 10フェムト秒以下のパルス、あるいは、広い波長帯域にわたり同調可能な比較的長いパルスを提供するために、レーザをモードロックする際に用いるのに適した広帯域可飽和ブラッグ反射器を実現する。【解決手段】 可飽和ブラッグ反射器10は、好ましくは、3つのセクションを有するモノリシック集積多層スタックを有する。第1セクション12は、他のセクションを指示するための適当な基板として作用する。第2セクション14は、AlxGa1-xAsのような相対的に高い屈折率の材料と、AlAsのような相対的に低い屈折率の材料とを交互にした、複数の半導体層を有する。これらの層は、基板上にエピタキシャル成長され、厚さおよびxの値が基板に沿って変わる。一般に、これらの層は、スタックの最上部からの距離とともに、厚さが増大し、xの値は減少する。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1および第2セクションを含むモノリシック集積スタックを有する、レーザをモードロックする際に用いられる光デバイスにおいて、前記第1セクションは、前記第2セクションのための基板を有し、前記第2セクションは、前記基板上にエピタキシャル成長された複数の半導体層を有し、前記複数の半導体層は、相対的に低屈折率の半導体材料層と相対的に高屈折率の半導体材料層の交互層であり、デバイスの所定の反射率特性を達成するため、または、所望の反射率特性および所望の群遅延分散特性を同時に達成するために、前記相対的に低屈折率および高屈折率の半導体材料層の屈折率は、前記基板からの距離の増大とともに変化し、これらの層の厚さは、前記基板からの距離とともに増大することを特徴とする光デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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