特許

J-GLOBAL ID：200903019821053461

半導体基材の検査方法

発明者： 高橋 捷一 ,  鹿島 一日児 ,  藤井 美津男 ,  石川 光昭 ,  則松 研二
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090608
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027526
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 非破壊的に半導体基材の表面及び/または表面近傍の特性を、表面全面を同時的に、位置表示可能に、且つ、連続的に、簡便に検知して判定する半導体基材の検査方法の提供。【解決手段】 (a)半導体基材の鏡面上に酸化膜を形成する工程、(b)前記酸化膜表面に連続的または非連続的に電極を形成する工程、及び、(c)前記半導体基板と前記電極との間に電界を印加する工程を有してなり、印加により生じる酸化膜の発光現象を検知することを特徴とする半導体基材の検査方法。酸化膜表面に形成される電極が光透過性の薄膜電極、スリット状の間隙を有する配線回路電極、または、点状分布電極であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基材の鏡面上に酸化膜を形成する工程、(b)前記酸化膜表面に連続的または非連続的に電極を形成する工程、及び、(c)前記半導体基板と前記電極との間に電界を印加する工程を有し、印加により生じる酸化膜の発光現象を検知することを特徴とする半導体基材の検査方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/66 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/302

FI (5件)：

H01L 21/66 Q ,  H01L 21/66 H ,  G01N 21/66 ,  G01R 31/26 J ,  G01R 31/28 L