チタノシリケートの製造方法およびオキシムの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深井敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-160641
公開番号（公開出願番号）：特開2008-308388
出願日： 2007年06月18日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】優れた触媒寿命を有するチタノシリケートを簡便に製造する方法を提供し、さらに、高い転化率でケトンをアンモキシム化反応させて、長期間にわたり触媒寿命を維持しつつ、良好な選択率でオキシムを製造する方法を提供する。【解決手段】本発明のMWW構造を有するチタノシリケートの製造方法は、ケイ素化合物、ホウ素化合物、水及び構造規定剤を混合する工程(1)、工程(1)により得られた混合物を熱処理して懸濁液を得る工程(2)、工程(2)により得られた懸濁液とチタン化合物とを混合する工程(3)、工程(3)により得られた混合物を熱処理した後、生じた結晶を分離する工程(4)および工程(4)により得られた結晶を焼成する工程(5)を含む。本発明のオキシムの製造方法は、前記MWW構造を有するチタノシリケートの存在下に、ケトンを過酸化物及びアンモニアによりアンモキシム化反応させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

以下の工程(1)〜工程(5)を含むことを特徴とするMWW構造を有するチタノシリケートの製造方法。工程(1):ケイ素化合物、ホウ素化合物、水及び構造規定剤を混合する工程工程(2):工程(1)により得られた混合物を熱処理して懸濁液を得る工程工程(3):工程(2)により得られた懸濁液とチタン化合物とを混合する工程工程(4):工程(3)により得られた混合物を熱処理した後、生じた結晶を分離する工程工程(5):工程(4)により得られた結晶を焼成する工程

IPC (4件)：

C01B 39/48 , C07C 249/00 , C07C 251/44 , B01J 29/89

FI (4件)：

C01B39/48 , C07C249/00 , C07C251/44 , B01J29/89 Z

Fターム (52件)：

4G073BA20 , 4G073BA63 , 4G073BB44 , 4G073BB66 , 4G073BD21 , 4G073CZ55 , 4G073FB06 , 4G073FB14 , 4G073FC12 , 4G073FC18 , 4G073FD02 , 4G073FD05 , 4G073FD18 , 4G073FD20 , 4G073FD21 , 4G073GA03 , 4G073UA01 , 4G169AA02 , 4G169AA08 , 4G169AA12 , 4G169BA07A , 4G169BA07B , 4G169BA21C , 4G169BC50A , 4G169BC50B , 4G169BC50C , 4G169BD03C , 4G169BD05A , 4G169BD05B , 4G169BD05C , 4G169CB25 , 4G169CB78 , 4G169EA01Y , 4G169FA01 , 4G169FC03 , 4G169FC07 , 4G169FC08 , 4G169ZA37A , 4G169ZA37B , 4G169ZB06 , 4G169ZC02 , 4H006AA02 , 4H006AC59 , 4H006BA10 , 4H006BA33 , 4H006BB14 , 4H006BB31 , 4H006BE14 , 4H006BE32 , 4H006BW44 , 4H039CA72 , 4H039CD40

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第03/074421号パンフレット

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