特許

J-GLOBAL ID：200903019828152090

光スイッチング素子およびその製造方法、光書き込み型記録用媒体、デバイス、表示装置ならびに書き込み装置

発明者： 小林 英夫 ,  曳地 丈人
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396656
公開番号（公開出願番号）：特開2002-196291
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 上部電荷発生層を分散液塗布により形成した場合でも感度の劣化が生じない光スイッチング素子およびその製造方法、デバイス、光書き込み型記録媒体、表示装置および書き込み装置を提供すること。【解決手段】 基板上に少なくとも、電極層、下部電荷発生層、電荷輸送層、および上部電荷発生層を順次積層した、交流電界あるいは交流電流により駆動される機能素子のスイッチングを行うための光導電スイッチング素子において、上部電荷発生層が、少なくとも電荷発生材、バインダーおよび電荷輸送層に損傷を与えない溶媒を含む上部電荷発生層形成用分散液から作製されることを特徴とする光スイッチング素子とその製造方法、該素子と機能素子を結合したデバイス、光書き込み型記録媒体、表示装置および書き込み装置。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも、電極層、下部電荷発生層、電荷輸送層、および上部電荷発生層を順次積層した、交流電界あるいは交流電流により駆動される機能素子のスイッチングを行うための光導電スイッチング素子において、上部電荷発生層が、少なくとも電荷発生材、バインダーおよび電荷輸送層に損傷を与えない溶媒を含む上部電荷発生層形成用分散液から作製されることを特徴とする光スイッチング素子。

IPC (3件)：

G02F 1/01 ,  G02F 1/135 ,  G11C 11/42

FI (3件)：

G02F 1/01 E ,  G02F 1/135 ,  G11C 11/42 Z

Fターム (24件)：

2H079AA08 ,  2H079AA15 ,  2H079BA01 ,  2H079CA02 ,  2H079CA22 ,  2H079CA23 ,  2H079DA07 ,  2H079DA08 ,  2H079EA14 ,  2H079GA05 ,  2H092GA05 ,  2H092GA50 ,  2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA29 ,  2H092NA25 ,  2H092PA13 ,  2H092QA07 ,  2H092QA11 ,  2H092QA13 ,  2H092RA05