特許

J-GLOBAL ID：200903019833247644

結晶化半導体膜の製造装置および製造方法ならびに位相シフトマスク

発明者： 谷口 幸夫 ,  松村 正清
出願人/特許権者： 株式会社 液晶先端技術開発センター
代理人 (1件)： 牧 哲郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120313
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318127
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【目的】位相シフトマスクの照明光に散乱があっても位相シフト部において光強度が0となる逆ピークを維持できるようにする。【構成】PSM5と被処理基板7を接近させて配置し、PSM5と被処理基板7の間のギャップをZ、PSM5への入射光の散乱角(半角)をθとした場合、PSM5の位相シフト部に幅DがD≧2Ztanθの遮光領域aを設ける。

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクを用いて位相シフト部において光強度が略0となる逆ピークパターンを発生し、この逆ピークパターンを有するレーザ光を多結晶または非晶質半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する装置において、前記位相シフト部に遮光領域を設けることを特徴とする結晶化半導体膜の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/20

FI (6件)：

H01L 21/268 J ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 B ,  G03F 1/08 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (15件)：

2H095BA06 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB36 ,  2H095BC05 ,  2H095BC09 ,  5F052AA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB07 ,  5F052FA01 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110237   出願人：ソニー株式会社
• 位相シフトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007938   出願人：富士通株式会社
• 半導体薄膜の結晶化方法及び薄膜トランジスタの製造方法並 びにその方法に用いられるレーザアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-135774   出願人：カシオ計算機株式会社, 住友重機械工業株式会社