特許
J-GLOBAL ID：200903019835925569
半導体ウエハの解析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046586
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243794
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハの測定で、ウエハサイズとチップサイズのサイズ比が大きい場合でも、不良位置情報(ウエハマッフ°)を正確に判断し、それにより製造工程の不具合原因を正確に解析するすることができる半導体ウエハの不良位置情報の解析方法。【解決手段】 半導体ウエハを測定手段1でチップ毎に測定し、その測定によるチップ毎の測定結果のデータによって、半導体ウエハのウエハマップデータ6を作成し、この作成したウエハマップデータ6のパターンと予め不良要因毎に作成されて記憶部に格納されている画像パターンとを比較する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを測定手段でチップ毎に測定し、その測定によるチップ毎の測定結果のデータによって前記半導体ウエハのウエハマップデータを作成し、この作成したウエハマップデータのパターンと予め不良要因毎に作成されて記憶部に格納されている画像パターンとを比較することを特徴とする半導体ウエハの解析方法。
Fターム (9件)：
4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106BA14
, 4M106CA27
, 4M106DA15
, 4M106DD30
, 4M106DJ18
, 4M106DJ21
