特許
J-GLOBAL ID：200903019836033645
多結晶半導体膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064217
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077235
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 被照射物である非晶質シリコン膜に対しレーザ光をその膜面に沿って移動しつつスポット状に照射した場合、その照射部の一部が相隣接して照射される他の照射部と重ねる場合、その重なりの部分における多結晶化の程度を向上させる。【構成】 基板の一主面に形成された半導体薄膜に対して、レーザビームをスポット状に前記主面に沿って照射し、そのスポット状の照射部の一部を相隣接する照射部と相互に重なり合わせるとともに、前記基板を300°C以上に加熱することにあり、またその半導体薄膜の膜厚を300Å〜800Åとすることにある。
請求項（抜粋）：
基板の一主面に形成された半導体薄膜に対して、レーザ光をスポット状に前記主面に沿って照射し、そのスポット状の照射部の一部を相隣接する照射部と相互に重なり合わせるとともに、前記基板を300°C以上に加熱することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, H01L 21/268
, H01L 27/12
