特許
J-GLOBAL ID：200903019837913703
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319794
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163484
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板の表面近傍に極く薄いシリサイド層を形成する。【解決手段】 シリコン基板2のp形ウェル層4に形成されたソース領域5,ドレイン領域6およびゲート電極10の表面にTiクラスタイオンを照射する。Ti原子は表面から僅かに内部に入った領域に均一に分布するようになり、レーザ,電子ビームなどで処理をすると、シリサイド層7,8,15が極く薄い層として形成できる。pn接合にダメージを与えることなくオーミック接触を形成して高速動作が可能なMOSFET1を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属と半導体との化合物膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板に対して複数の金属原子から構成される金属クラスタイオンを注入する注入工程と、前記金属クラスタイオンが注入された状態の前記半導体基板に対して金属と半導体との化合物膜を形成する化合物膜形成工程とを設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 603 A
