バイポーラ集積回路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-040808
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252352
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のうち受動素子であるコンデンサを製造する方法において、他の素子を形成する時に、同時に形成することにより、工程数の少ないプロセスを開発する。【構成】P型半導体基板2上のN型エピタキシャル層3に素子分離の為の酸化膜5を選択的に形成後、NPNトランジスタのコレクタ7としてN型不純物9を導入する時、同時にコンデンサ領域8にも導入し、コンデンサの下部電極を形成する。次にLP窒化膜11を成膜し、更に多結晶シリコン12を全面に成膜する。その後に、多結晶シリコン抵抗13形成時に、コンデンサ領域8以外の多結晶シリコン12及び、LP窒化膜11を同時に除去する。以上の方法により、コンデンサを他の素子を形成すると同時に、形成することができ、工程短縮が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1絶縁膜を成膜する工程と、コンデンサ領域とバイポーラトランジスタの拡散層形成予定領域の前記第1絶縁膜を同時に除去し開口する工程と、前記開口部に所望の不純物を導入し、バイポーラトランジスタの拡散層と同時に、コンデンサの下部電極を形成する工程と、誘電体としての第2絶縁膜を全面に成膜する工程と、多結晶シリコン膜を全面に成膜する工程と、前記多結晶シリコン膜,及び前記第2絶縁膜をフォトリソグラフィ技術により一度で同時にエッチングし、多結晶シリコン抵抗,及びコンデンサの上部電極を同時に形成する工程とを含むことを特徴とするバイポーラ集積回路の製造方法。

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