特許

J-GLOBAL ID：200903019845654725

半導体装置の製造方法

発明者： 濱田 公守 ,  川井 文彰
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135607
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008401
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、同一半導体基板上に複数の異なった耐圧の素子を、酸化工程を増加させることなしに形成することである。【構成】半導体基板内に形成された不純物層と、該不純物層上に形成された酸化膜と、該酸化膜を挟んで前記不純物層と対向する側に形成された電極とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板を酸化することによって複数の領域に異なった膜厚の酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有する半導体装置の製造方法において、前記不純物層の不純物の濃度を前記酸化膜の膜厚に応じて調整して形成する不純物層形成工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板内に形成された不純物層と、該不純物層上に形成された酸化膜と、該酸化膜を挟んで前記不純物層と対向する側に形成された電極とを備えた半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板を酸化することによって複数の領域に異なった膜厚の酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有する半導体装置の製造方法において、前記不純物層の不純物の濃度を前記酸化膜の膜厚に応じて調整して形成する不純物層形成工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 C