特許

J-GLOBAL ID：200903019852318285

集積化太陽電池の製造方法

発明者： 宇田 和孝 ,  村田 正義
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289798
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126914
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】第1のセルのの金属裏面電極と透明電極膜との電気的な短絡を防止し、かつ第2のセルの金属裏面電極と透明電極膜との電気的な短絡を防止する。【解決手段】ガラス基板11上に透明電極膜12を形成する工程と、前記透明電極膜12に第1の開溝131 を形成する工程と、基板全面に半導体薄膜14を形成する工程と、前記半導体薄膜14に第2の開溝132 を形成し、前記透明電極膜12を露出させる工程と、第2の開溝132 から露出する半導体薄膜14の端面及びこの端面に近接する上面を被覆するように絶縁厚膜15を形成する工程と、基板全面に金属裏面電極16を形成する工程と、前記金属裏面電極16及び絶縁厚膜15に第3の開溝133 を形成し、前記基板、透明電極膜、半導体薄膜及び金属裏面電極からなる第1のセル17及び第2のセル17を夫々形成する工程とを具備することを特徴とする集積化太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板上に透明電極膜を形成する工程と、第1のセル形成予定部に対応する前記透明電極膜に第1の開溝を形成する工程と、基板全面に半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜に第2の開溝を形成し、前記透明電極膜を露出させる工程と、第2の開溝から露出する、第2のセル形成予定部に対応する前記半導体薄膜の端面及びこの端面に近接する上面を被覆するように絶縁厚膜を形成する工程と、基板全面に金属裏面電極を形成する工程と、前記金属裏面電極及び絶縁厚膜に第3の開溝を形成し、前記基板、透明電極膜、半導体薄膜及び金属裏面電極からなる第1のセル及び第2のセルを夫々形成する工程とを具備することを特徴とする集積化太陽電池の製造方法。