特許

J-GLOBAL ID：200903019854474950

半導体歪みセンサ

発明者： 田井 明 ,  深田 毅 ,  杉戸 泰成 ,  吉野 好
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037187
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 温度サイクルによる影響を受けにくく加速度等に応じた歪みを正確に検出することができる半導体歪みセンサを提供することにある。【構成】 シリコンチップ6の一部に薄肉の可動部14〜17が形成されている。シリコンチップ6の可動部14〜17はピエゾ抵抗層18a,18b、19a,19b、20a,20b、21a,21bが形成されている。シリコンチップ6上においてアルミ配線23〜30,63〜66にてピエゾ抵抗層18a,18b、19a,19b、20a,20b、21a,21bと電気接続され、同アルミ配線23〜30,63〜66は薄膜よりなり、厚みが1.3μm、幅が20μmとなり、断面積が40μm2 以下となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一部に形成された薄肉の可動部と、前記半導体基板の可動部に形成されたピエゾ抵抗層と、前記半導体基板上に形成され、前記ピエゾ抵抗層と電気接続するための薄膜よりなるアルミ系配線とを備えた半導体歪みセンサにおいて、前記アルミ系配線の断面積を40μm2 以下にしたことを特徴とする半導体歪みセンサ。

IPC (3件)：

H01L 21/84 ,  G01L 19/04 ,  H01L 41/08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-041080
  
• 特開昭54-044883