特許

J-GLOBAL ID：200903019854580424

薄膜コンデンサの形成方法

発明者： 高山 光二 ,  生駒 幹也
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154734
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】薄膜コンデンサの上下電極間に形成する誘電体において、品質良く誘電体を成膜可能とする薄膜コンデンサの形成方法を提供する。【解決手段】基板上の所定領域に形成する薄膜コンデンサ用の誘電体薄膜の形成において、誘電体薄膜を2回の形成工程に分ける形成工程とし、かつ前工程で形成した誘電体薄膜と次工程で形成する誘電体薄膜の形成工程の間に誘電体薄膜表面の洗浄処理をする洗浄工程を設ける薄膜コンデンサの形成方法。

請求項（抜粋）：

基板上の所定領域に形成する薄膜コンデンサ用の誘電体薄膜の形成において、該誘電体薄膜を2回の形成工程に分ける形成工程とし、かつ前工程で形成した誘電体薄膜と次工程で形成する誘電体薄膜の形成工程の間に誘電体薄膜表面の洗浄処理をする洗浄工程を設けることを特徴とした薄膜コンデンサの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102